Фототранзистор SFH309-5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Светодиоды\Фотодиоды
Описание Фототранзистор, 3мм, -p макс: 860нм, 35В, 12°, Линза: прозрачная
Технические параметры
Brand | OSRAM Opto Semiconductors |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 35 V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 35 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 200 mV |
Dark Current | 15 mA |
Factory Pack Quantity | 2000 |
Fall Time | 8 us |
Half Intensity Angle Degrees | 12 deg |
Height | 5.2 mm |
Length | 4 mm |
Lens Color/Style | Clear |
Light Current | 5 mA |
Manufacturer | Osram Opto Semiconductor |
Maximum On-State Collector Current | 15 mA |
Maximum Operating Temperature | +100 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Operating Supply Voltage | - |
Output Current | - |
Package / Case | T-1 |
Packaging | Bulk |
Part # Aliases | Q62702P0999 |
Pd - Power Dissipation | 165 mW |
Peak Wavelength | 860 nm |
Product | Phototransistors |
Product Category | Phototransistors |
Propagation Delay - Max | - |
Rise Time | 8 us |
RoHS | Details |
Type | Silicon NPN Phototransistor |
Wavelength | 860 nm |
Width | 4 mm |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Документация
pdf, 246 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.