IKZA75N65SS5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650В 75А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 770 руб.
от 2 шт. —
2 660 руб.
от 3 шт. —
2 630 руб.
от 4 шт. —
2 570 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 770 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 650В 75А
Технические параметры
| Корпус | TO-247-4L | |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В | |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В | |
| Continuous Collector Current | 80А | |
| Power Dissipation | 395Вт | |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
| Монтаж транзистора | Through Hole | |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 | |
| Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1437 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
