MMSS8050HE3-H-TP, Bipolar Transistors - BJT PNP PURPOSE AMPLIFIER

70 руб.
от 10 шт.48 руб.
от 100 шт.29 руб.
от 1000 шт.12.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 70 руб.
Номенклатурный номер: 8020729010
Артикул: MMSS8050HE3-H-TP

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Micro Commercial Components(MCC)
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
DC Current Gain hFE Max: 350
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Micro Commercial Components(MCC)
Maximum DC Collector Current: 1.5 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Packaging: Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: AECQ-HE3
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 822 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов