BFR 181W H6327, Транзистор: NPN, биполярный, RF, 12В, 20мА, 0,175Вт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 340 руб.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, RF, 12В, 20мА, 0,175Вт, SOT323 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 175 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | BFR181WH6327XT BFR181WH6327XTSA1 SP000750418 |
Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
Непрерывный коллекторный ток | 20 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Рабочая частота | 8 GHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BFR181 |
Технология | Si |
Тип | RF Bipolar Small Signal |
Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
Тип транзистора | Bipolar |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-323 |
Base Product Number | BFR181 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 8V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 8GHz |
Gain | 19dB |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power - Max | 175mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Collector Current (Ic) | 20mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@5mA, 8V |
Power Dissipation (Pd) | 175mW |
Transition Frequency (fT) | 8GHz |
Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Infineon Technologies BFR 181W H6327
pdf, 666 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов