SSM14N956L,EFF, MOSFET 12V Common Drain MOSFET Rss(on): 1.1mOhm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29869 шт., срок 7-9 недель
410 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
SSM14N956L MOSFETToshiba SSM14N956L MOSFET features low source-source on-resistance and is RoHS compatible. The SSM14N956L MOSFET is halogen-free. This MOSFET provides 2.44W on the condition (t ≤ 10s) and operates at 150°C channel temperature and -55°C to 150°C storage temperature range. The R SS(ON) = 1.1mΩ (typ) (@V GS = 3.8V) and R SS(ON) = 1mΩ (typ) (@V GS = 4.5V) are the low source-source on-resistance. This SSM14N956L MOSFET is ideally used in battery protection circuits.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Fall Time: | 2.1 us |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 1.33 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.35 mOhms |
| Rise Time: | 1.3 us |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 3.8 us |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1 us |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | +8 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 403 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
