Модуль памяти Advantech AQD-D3L2GN16-SQ (AQD-D3L2GN16-SQ1) Модуль памяти Advantech 2G DDR3-1600 240Pin 256MX8 1.35V Unbuffered Samsung Chip
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва, срок 5 дней
4 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 170 руб.
Описание
Модуль памяти
Тип памяти: UnbufferedФорм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR3
Объем одного модуля, ГБ: 2
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 2
Эффективная частота, МГц: 1600
Пропускная способность, Мб/с: 12800
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 8
Количество ранков: 1
Количество контактов: 240
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
Activate to Precharge Delay (tRAS): 27
Напряжение питания, В: 1.35
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 30
Вид поставки: RTL
Технические параметры
| Форм-фактор | DIMM | |
| Тип памяти | unbuffered | |
| Количество контактов | 240 | |
| Напряжение питания, В | 1.35 | |
| Количество ранков (Ranks) | 1 | |
| Количество чипов | 8 | |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 27 | |
| CAS Latency (CL) | 11 | |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 | |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 | |
| Вид поставки | RTL | |
| Высота, мм | 30 | |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 | |
| Низкопрофильная | Нет | |
| Нормальная операционная температура, °C | 85 | |
| Объем одного модуля, ГБ | 2 | |
| Поддержка ECC | Нет | |
| Пропускная способность, Мб/с | 12800 | |
| Расширенная операционная температура, °C | 95 | |
| Стандарт памяти | DDR3 | |
| Суммарный объем, ГБ | 2 | |
| Ширина, мм | 133.35 | |
| Эффективная частота, МГц | 1600 | |
| Вес, г | 19.2 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
