RBN40H65T1FPQ-A0#CB0, IGBT Transistors POWER TRANSISTOR 650V 40A IGBT G8H
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 шт., срок 7-9 недель
1 820 руб.
от 10 шт. —
1 560 руб.
от 25 шт. —
1 470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 820 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | Renesas Electronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 1 uA |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247A-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 185 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
