GD150HFX65C1S, IGBT модуль
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
66 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
5 880 руб.
от 5 шт. —
5 480 руб.
от 20 шт. —
5 410 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 880 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 180А |
| DC Ток Коллектора | 180А |
| Power Dissipation | 437Вт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.45В |
| Рассеиваемая Мощность | 437Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet GD150HFX65C1S
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
