IRFR3710ZTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 42A 140Вт 0,018Ом TO252AA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFR3710ZTRPBF от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD технологии. С током стока в 56 А и напряжением сток-исток в 100 В, данный транзистор способен обеспечить мощность до 140 Вт, что делает его идеальным выбором для различных силовых применений. Корпус DPAK обеспечивает надежную защиту и удобство в интеграции на печатные платы. Используйте IRFR3710ZTRPBF для повышения эффективности и надежности ваших электронных устройств. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 56 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 140 |
| Корпус | DPAK |
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.015Ом |
| Power Dissipation | 140Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 42А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 140Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Fall Time: | 42 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 39 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IRFR3710ZTRPBF SP001560638 |
| Pd - Power Dissipation: | 140 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 100 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Rise Time: | 43 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Mounting Type | PCB Monut |
| Package Type | D-PAK |
| Вес, г | 0.551 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 671 КБ
Datasheet IRFR3710Z, IRFU3710Z, IRFU3710Z-701
pdf, 682 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
