IKD06N60RATMA1, Транзистор: IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 6А, 100Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
от 5 шт. —
200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 6А, 100Вт, DPAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 100 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | IKD06N60R SP000964628 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 12 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | RC |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Automotive | Unknown |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 12 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 100000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Surface Mount |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | NRND |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | Unknown |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Tab | Tab |
Technology | Trench Stop |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.65 |
Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1731 КБ
Datasheet IKD06N60RATMA1
pdf, 1756 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов