IPD50N06S409ATMA2, MOSFET MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

310 руб.

от 10 шт. — 240 руб.

от 100 шт. — 184 руб.

от 500 шт. — 152.59 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 310 руб.

Номенклатурный номер: 8005240590

Артикул: IPD50N06S409ATMA2

IPD50N06S4-09, SP001028662

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0071Ом
Power Dissipation	71Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	OptiMOS T2
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	50А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	71Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0071Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	50 A
Maximum Drain Source Resistance	0.009 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	OptiMOS
Transistor Material	Si
Вес, г	793

pdf, 164 КБ

Мы рекомендуем