SI2347DS-T1-GE3, Tранзистор VISHAY
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 руб.
Описание
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 42mohm at a gate-source voltage of 10V.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.042 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-236 |
| Pin Count | 3 |
| Series | TrenchFET |
| Вес, г | 4.536 |
Техническая документация
Datasheet SI2347DS-T1-GE3
pdf, 223 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
