MZ-V9P1T0CW, Samsung SSD 990 PRO, Твердотельный накопитель

Фото 1/10 MZ-V9P1T0CW, Samsung SSD 990 PRO, Твердотельный накопитель
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
100 шт. со склада г.Москва
19 360 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 19 360 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8021346785
Артикул: MZ-V9P1T0CW

Описание

Комплектующие для ПК\Накопители информации\Твердотельные накопители
Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 200 000/1 550 000, DRAM buffer 1024MB, TBW 600, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)

Технические параметры

Форм-фактор M.2 2280
Максимальная скорость чтения, Мб/с 7450
Интерфейс PCIe 4x4(NVMe)
TBW твердотельного накопителя, Тбайт 600
Ёмкость накопителя, Гбайт 1000
Кэш-память 1GB LPDDR4
Модель Samsung 990 PRO
Назначение Клиентские ПК
Объём DRAM буфера, Мб 1024
Скорость последовательной записи, Мбайт/c 6900
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS 1200000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS 1550000
Средняя наработка на отказ, ч 1500000
Тип памяти TLC
Время наработки на отказ 1500000 ч
Код производителя MZ-V9P1T0CW
Объём кэш памяти 1024 Мб
Объём накопителя 1000 Гб
Поддержка NVMe да
Производитель Samsung
Размер M.2 2280
Ресурс перезаписи (TBW) 600 ТБ
Скорость записи 6900 МБ/сек
Скорость чтения 7450 МБ/сек
Тип SSD
Цвета, использованные в оформлении красный, чёрный
Версия PCI-E PCIe 4x4 w/NVMe
Вид устройства Внутренний твердотельный накопитель
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с 7877
Высота, мм 22
Глубина, мм 2.3
Комплект поставки Накопитель, инструкция
Номинальный объем, ГБ 1000
Объем буфера, МБ 1024
Поддержка Background Garbage Collection Да
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) Да
Позиционирование использования Desktop
Серия продукции 990 PRO
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS 1200
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS 1550
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ 600
Тип буферной памяти DDR4
Тип интерфейса PCI Express
Тип комплектации RTL
Ударостойкость при работе, G 1500
Ударостойкость при хранении, G 1500
Ширина, мм 80
Энергопотребление при работе, Вт, max 7.8
Объем памяти 1000
DRAM буфер ДА
Бренд SAMSUNG
Гарантия 12
Максимальная скорость записи 6900 МБ/с
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 1200000
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 1550000
Максимальная скорость чтения 7450 МБ/с
Объем DRAM буфера 1024 МБ
Объем накопителя 1024 ГБ
Потребляемая мощность 7.8 Вт
Потребляемая мощность в режиме ожидания 0.05 Вт
Радиатор охлаждения есть
Ресурс TBW 600 ТБ
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 1550000
Совместимость с PS5 да
Тип жесткого диска SSD
Ударостойкость при работе 1500 G
Ударостойкость при хранении 1500 G
Background Garbage Collection да
manufacturerCountry Корея, республика
MTBF 1.5 млн.часов
pictureID 581877
Для веб-сервера или файлового сервера нет
Для сервера баз данных нет
Интерфейс SSD PCI-Express
Максимальные перегрузки 1500G длительностью 0.5 мс
масса(кг) 0.1
Объем (Гб) 1000
описание SSD накопитель MZ-V9P1T0CW от компании Samsung.
ПО в комплекте нет
Поддержка TRIM есть
Потребление энергии (Вт) 5
Пропускная способность интерфейса (Гбит/с) 16
Протокол NVMe 2
Рабочая температура 0 ~ 70 °C
Размеры (ширина x высота x глубина) 24.3x8.2x80
Размеры упаковки 16.33x9.43x2.41 см
Ресурс SSD 600 TBW
Серия 990 PRO
Скорость записи (Мб/с) 6900
Скорость чтения (Мб/с) 7450
Тип интерфейса NAND Flash памяти TLC
Тип оборудования SSD диск
Тип чипов TLC
Форм-фактор M.2 2280
Гарантийный срок 60 МЕС
Для геймеров Нет
Максимальная скорость случайного чтения, IOPS 1000000
Максимальная скорость случайной записи, IOPS 1000000
Размер, мм 80x22x2
Ресурс работы (TBW) 600 ТБ
Страна происхождения Южная Корея
Вес, г 60

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.