IRF9393TRPBF, Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56 руб.
Кратность заказа 4000 шт.
Добавить в корзину 4000 шт.
на сумму 224 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -7,3А, 1,6Вт, SO8 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 9.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 19.4mΩ@10V, 9.2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.4V@25uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.11nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 38nC@10V |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 268 КБ
Datasheet IRF9393TRPBF
pdf, 256 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Контроллеры коррекции коэффициента мощности (Контроллеры PFC)»
Типы корпусов импортных микросхем
