IPD50R280CEAUMA1, Trans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 500 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Силовые транзисторы CoolMOS ™ В силовых транзисторах Infineon CoolMOS ™ используется революционная технология CoolMOS ™ для высоковольтных полевых МОП-транзисторов, разработанная по принципу суперперехода (SJ) и впервые разработанная Infineon. Силовые транзисторы CoolMOS ™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика полевых МОП-транзисторов SJ с первоклассными инновациями. Полученные в результате устройства обеспечивают все преимущества быстродействующего полевого МОП-транзистора SJ, не жертвуя при этом простотой использования. Чрезвычайно низкие коммутационные потери и потери проводимости делают коммутационные устройства еще более эффективными, компактными, легкими и холодными.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 7.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18.1 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD50R280CE SP001396382 |
| Pd - Power Dissipation: | 119 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 32.6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 280 mOhms |
| Rise Time: | 6.4 ns |
| Series: | CoolMOS CE |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | CoolMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 18.1 A |
| Package Type | PG-TO 252 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1178 КБ
Datasheet IPD50R280CEAUMA1
pdf, 1245 КБ
ПАРАМЕТРЫ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ СТАБИЛИТРОНОВ
pdf, 354 КБ
Цветовая маркировка стабилитронов и стабисторов
pdf, 389 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Стабилитроны»
Типы корпусов импортных диодов
