IPD50R380CEAUMA1, Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

140 руб.

Кратность заказа 2500 шт.

от 5000 шт. — 130 руб.

Добавить в корзину 2500 шт. на сумму 350 000 руб.

Номенклатурный номер: 8021374897

Артикул: IPD50R380CEAUMA1

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор CONSUMER

Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	2.3 mm
Длина	6.5 mm
Другие названия товара №	IPD50R380CE SP001396790
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	CoolMOS
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	IPD50R380
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.22 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	0.85V
Maximum Continuous Drain Current	14.1 A
Maximum Drain Source Resistance	380 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	550 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	98 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	CoolMOS CE
Typical Gate Charge @ Vgs	24.8 nC @ 10 V
Width	6.22mm
Brand	Infineon Technologies
Factory Pack Quantity	2500
Height	2.3 mm
Length	6.5 mm
Manufacturer	Infineon
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Reel
Part # Aliases	IPD50R380CE
Product Category	MOSFET
RoHS	Details
Technology	Si
Tradename	CoolMOS
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V