DG120X07T2, Транзистор: IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 7 недель
3 510 руб.
от 3 шт. —
2 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 510 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 120 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Вес, г | 6.89 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]](https://static.chipdip.ru/lib/569/DOC010569041.jpg)
