BPX 38-4, No Phototransistor Chip Silicon 880nm 3-Pin TO-18
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4000 шт., срок 6-8 недель
140 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
от 3000 шт. —
130 руб.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 140 000 руб.
Описание
Optoelectronics\Photoelement\Phototransistors
No Phototransistor Chip Silicon 880nm 3-Pin TO-18
Технические параметры
Automotive | No |
Diameter | 5.6(Max) |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Fabrication Technology | NPN Transistor |
Half Intensity Angle Degrees (°) | 80 |
Lead Shape | Through Hole |
Lens Shape Type | Domed |
Material | Silicon |
Maximum Collector Current (mA) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
Maximum Dark Current (nA) | 100 |
Maximum Fall Time (ns) | 15000 |
Maximum Light Current (uA) | 900 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 220 |
Maximum Rise Time (ns) | 15000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Through Hole |
Number of Channels per Chip | 1 |
Part Status | Obsolete |
PCB changed | 3 |
Peak Wavelength (nm) | 880 |
Phototransistor Type | Phototransistor |
Pin Count | 3 |
Polarity | NPN |
PPAP | No |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-18 |
Type | Chip |
Viewing Orientation | Top View |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1215 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.