IKW40N65H5FKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
940 руб.
от 2 шт. —
860 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 940 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 74А, 250Вт, PG-TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 74 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKW40N65H5 SP001001730 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | Trenchstop IGBT5 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 8.083 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2485 КБ
Datasheet IKP40N65H5XKSA1
pdf, 2560 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
