1200V 22.8A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin TO-220 IDH08G120C5XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 070 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 070 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
The Infineon thinQ! ™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics.
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 22.8A |
| Maximum Forward Voltage Drop | 2.85V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 70A |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
| Pin Count | 2+Tab |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
Похожие товары
![VS-80CPQ150-N3, Диод Шоттки, 2 х 40А, 150В, общий катод [TO-247AC] (VS-80CPQ150PBF)](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
