WMJ80N65F2, Транзистор: N-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
149 шт., срок 7 недель
3 660 руб.
от 3 шт. —
2 610 руб.
от 10 шт. —
1 800 руб.
от 30 шт. —
1 614.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 660 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 45A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Gate charge | 26.2nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | WAYON |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 37mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 410W |
| Pulsed drain current | 245A |
| Reverse recovery time | 190ns |
| Technology | WMOS™ F2 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.19 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 544 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
