IRF2907ZSTRLPBF, N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRF2907ZSTRLPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 460 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
1 030 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 7 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
This Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0045 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IRF2907ZPBF
pdf, 420 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
