DG50Q12T2, Биполярный транзитсор IGBT 1200В 80A 672Вт TO-247 PLUS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
820 руб.
от 3 шт. —
750 руб.
от 5 шт. —
725 руб.
от 10 шт. —
714 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзитсор IGBT 1200В 80A 672Вт TO-247 PLUS
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Case | TO247PLUS | |
| Collector current | 50A | |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV | |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode | |
| Gate charge | 0.37µC | |
| Gate-emitter voltage | ±20V | |
| Kind of package | tube | |
| Manufacturer | STARPOWER SEMICONDUCTOR | |
| Mounting | THT | |
| Power dissipation | 672W | |
| Pulsed collector current | 150A | |
| Turn-off time | 338ns | |
| Turn-on time | 172ns | |
| Type of transistor | IGBT | |
| Вес, г | 8.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 479 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
