PJA3460-AU_R1_000A1, MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3511 шт., срок 7-9 недель
110 руб.
от 10 шт. —
95 руб.
от 100 шт. —
64 руб.
от 1000 шт. —
34.03 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Panjit |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 6.4 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
Manufacturer: | Panjit |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 9.3 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhms |
Rise Time: | 9.7 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 18.5 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 3.2 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 619 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.