SI3420A-TP, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
89 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт. —
51 руб.
от 100 шт. —
45 руб.
от 500 шт. —
33.08 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 267 руб.
Посмотреть аналоги16
Описание
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 28 4.5V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Fall Time (ns) | 6 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 12 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 12 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 515 10V |
Typical Rise Time (ns) | 7.5 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3 |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet SI3420A-TP
pdf, 495 КБ