IRF7103PBF, Сборка транзисторная SMD (2N-канала 50В 3А SO8)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Описание Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 130@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 50 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 12 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 12@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 290@25V |
| Typical Output Capacitance - (pF) | 140 |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
deIRF7103_Data_E
pdf, 273 КБ
IRF7103 Datasheet
pdf, 169 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
