IRLML2803TRPBF, Транзистор полевой SMD (N-канал 30В 1,2А SOT-23-3)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 29 шт.
Добавить в корзину 29 шт.
на сумму 551 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 0,4Вт, SOT23
Технические параметры
Base Product Number | IRLML2803 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.2A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power Dissipation (Max) | 540mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 910mA, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HEXFETВ® -> |
Supplier Device Package | Micro3в„ў/SOT-23 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
Крутизна характеристики S,А/В | 0.87 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 250 |
Температура, С | -55…+150 |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 540 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 3.3 nC @ 10 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLML2803TRPBF
pdf, 252 КБ
IRLML2803 datasheet
pdf, 100 КБ
Документация
pdf, 250 КБ
Документация=
pdf, 263 КБ
Datasheet IRLML2803PBF
pdf, 235 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов