IRLML2803TRPBF, Транзистор полевой SMD (N-канал 30В 1,2А SOT-23-3)

Фото 1/10 IRLML2803TRPBF, Транзистор полевой SMD (N-канал 30В 1,2А SOT-23-3)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 29 шт.
Добавить в корзину 29 шт. на сумму 551 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8021838544
Артикул: IRLML2803TRPBF

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 0,4Вт, SOT23

Технические параметры

Base Product Number IRLML2803 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 85pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max) 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 910mA, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package Micro3в„ў/SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250ВµA
Крутизна характеристики S,А/В 0.87
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 250
Температура, С -55…+150
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 1.2 A
Maximum Drain Source Resistance 250 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 540 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 3.3 nC @ 10 V
Width 1.4mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLML2803TRPBF
pdf, 252 КБ
IRLML2803 datasheet
pdf, 100 КБ
Документация
pdf, 250 КБ
Документация=
pdf, 263 КБ
Datasheet IRLML2803PBF
pdf, 235 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов