TK9J90E, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 9А, 250Вт, TO3PN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
1 020 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 020 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 9А, 250Вт, TO3PN Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.3 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-3PN |
Pin Count | 3 |
Series | TK |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Width | 4.5mm |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.