DMG1023UV-7, Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -20В, -0,68А, 530мВт, SOT563
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
87 руб.
от 10 шт. —
51 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 87 руб.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -20В, -0,68А, 530мВт, SOT563 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 20.7 ns |
Forward Transconductance - Min: | 0.9 S |
Id - Continuous Drain Current: | 1.03 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | SOT-563-6 |
Pd - Power Dissipation: | 530 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 622.4 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 500 mOhms |
Rise Time: | 8.1 ns |
Series: | DMG1023 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 2 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 28.4 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 226 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары