DMG1023UV-7, Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -20В, -0,68А, 530мВт, SOT563

Фото 1/2 DMG1023UV-7, Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -20В, -0,68А, 530мВт, SOT563
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
87 руб.
от 10 шт.51 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 87 руб.
Номенклатурный номер: 8021864717
Артикул: DMG1023UV-7
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -20В, -0,68А, 530мВт, SOT563 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 20.7 ns
Forward Transconductance - Min: 0.9 S
Id - Continuous Drain Current: 1.03 A
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: SOT-563-6
Pd - Power Dissipation: 530 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signal
Qg - Gate Charge: 622.4 pC
Rds On - Drain-Source Resistance: 500 mOhms
Rise Time: 8.1 ns
Series: DMG1023
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 2 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 28.4 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5.1 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -6 V, +6 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 226 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов