IHW40N135R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

640 руб.

от 5 шт. — 530 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 640 руб.

Номенклатурный номер: 8021902663

Артикул: IHW40N135R5XKSA1

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт

Корпус	PG-TO-247-3
Maximum Collector Emitter Voltage	1350 V
Maximum Continuous Collector Current	80 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±25 V
Maximum Power Dissipation	394 W
Package Type	PG-TO247-3
Pin Count	3
Channel Type	N
Collector Current (DC)	80(A)
Configuration	Single
Gate to Emitter Voltage (Max)	±20(V)
Mounting	Through Hole
Operating Temperature (Max)	175C
Operating Temperature (Min)	-40C
Operating Temperature Classification	AUTOMOTIVEC
Packaging	Rail/Tube
Rad Hardened	No
Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	1.35кВ
Continuous Collector Current	80А
Power Dissipation	394Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.4