IXFK50N85X, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 850В, 50А, 890Вт, TO264, 218нc
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 570 руб.
от 10 шт. —
2 090 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 570 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 850В, 50А, 890Вт, TO264, 218нc Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
Fall Time: | 14 ns |
Forward Transconductance - Min: | 19 S |
Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-264-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 890 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 152 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 105 mOhms |
Rise Time: | 30 ns |
Series: | X-Class |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | HiPerFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 69 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 850 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 292 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов