SI3402-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 4А; Idm: 15А; 1,3Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
67 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
25 руб.
от 100 шт. —
21 руб.
от 500 шт. —
15.93 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 335 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | SOT23 |
Drain current | 4A |
Drain-source voltage | 30V |
Gate charge | 4.34nC |
Gate-source voltage | ±12V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 0.11Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1.3W |
Pulsed drain current | 15A |
Technology | Trench |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 500 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов