IRFI830GPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2А, 35Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.

Номенклатурный номер: 8022462954

Артикул: IRFI830GPBF

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2А, 35Вт, TO220FP Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	3.1 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	38 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRFI
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	4.899