YGW10N120T3
14 шт., срок 7-9 недель
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
240 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
10A 1.2kV TO-247 IGBTs ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 10A |
Collector Cut-Off Current (Ices@Vce) | - |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge) | - |
Diode Forward Voltage (Vf@If) | - |
Diode Reverse Recovery Time (Trr) | - |
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - |
Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Pulsed Collector Current (Icm) | - |
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | - |
Turn?off Delay Time (Td(off)) | - |
Turn?off Switching Loss (Eoff) | - |
Turn?on Delay Time (Td(on)) | - |
Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
Type | - |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 444 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары