RGW00TK65DGVC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 шт., срок 7-9 недель
1 640 руб.
Кратность заказа 3 шт.
от 12 шт. —
880 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 4 920 руб.
Альтернативные предложения3
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 45А |
| Power Dissipation | 89Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
Техническая документация
Datasheet RGW00TK65DGVC11
pdf, 1929 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
