YGQ100N65FP
64 шт., срок 7-9 недель
750 руб.
от 10 шт. —
690 руб.
от 30 шт. —
647 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 750 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Diode Forward Voltage (Vf@If) | 2.7V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![IKW20N60TFKSA1 (K20T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 20А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
