2SB649AG-C-AB3-R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5535 шт., срок 7-9 недель
20 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
16 руб.
от 150 шт. —
14 руб.
от 500 шт. —
12.24 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
20111101124645868
pdf, 295 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![КТ209А (2020г.), Биполярный транзистор, PNP, -15В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=20…60 [КТ-26 / TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299940.jpg)
