HMC8410LP2FETR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 830 руб.
от 30 шт. —
5 440 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 830 руб.
Описание
РЧ-усилитель Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai
Технические параметры
NF - коэффициент шумов | 1.1 dB |
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка | 33 dBm |
P1dB - точка сжатия | 21 dBm |
Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Входные потери на отражение | 6 dB |
Категория продукта | РЧ-усилитель |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Подкатегория | Wireless RF Integrated Circuits |
Рабочая частота | 0.01 GHz to 10 GHz |
Рабочее напряжение питания | 5 V |
Рабочий ток источника питания | 65 mA |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | HMC8410 |
Технология | GaAs |
Тип | MMIC Low Noise Amplifier |
Тип продукта | RF Amplifier |
Торговая марка | Analog Devices |
Усиление | 19.5 dB |
Чувствительный к влажности | Yes |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Максимальная Частота | 10ГГц |
Максимальное Напряжение Питания | 6В |
Минимальная Частота | 10МГц |
Минимальное Напряжение Питания | 2В |
Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | LFCSP-EP |
Типичное Значение Коэффициента Шума | 1.7дБ |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «ВЧ усилители»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары