BRFL12N60
1000 шт., срок 7-9 недель
50 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 30 шт. —
47 руб.
от 100 шт. —
44 руб.
от 500 шт. —
38.76 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
600V 12A 51W 650mΩ@10V,6A 4V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 650mΩ@10V, 6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 51W |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet BRFL12N60
pdf, 889 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![AOD4189, Транзистор P-MOSFET 40В 40A 62.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS4435BZ, Транзистор P-MOSFET 30В 8.8А 2.5Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
