IPD122N10N3GATMA1, , Транзистор полевой N-канальный силовой , 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3

IPD122N10N3GATMA1, , Транзистор полевой N-канальный силовой , 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 40 шт.115 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 1 300 руб.
Номенклатурный номер: 8023131064
Артикул: IPD122N10N3GATMA1, , Транзистор полевой N-канальны

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

Технические параметры

Способ монтажа поверхностный(SMT)
Вес брутто 0.55
Время задержки включения/выключения-24/14 нс
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Емкость, пФ 2500
Заряд затвора, нКл 26
Корпус TO-252(DPAK)
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В 100
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12.2
Мощность рассеиваемая(Pd)-94 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-3.5 В
Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Упаковка REEL, 2500 шт.