SI2300A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2935 шт., срок 7-9 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 90 шт.
Добавить в корзину 90 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Интегральные схемы SOT23
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 21 мОм/6A, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
Крутизна характеристики, S | 8 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 6A | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 25mО© @ 6A,4.5V | |
Transistor Polarity | N Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 50uA | |
кол-во в упаковке | 3000 |
Техническая документация
Datasheet SI2300A
pdf, 2058 КБ
Datasheet UMW SI2300A
pdf, 713 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.