PSMN4R4-80BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; Idm: 680А; 306Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
562 шт., срок 6 недель
880 руб.
от 5 шт. —
770 руб.
от 25 шт. —
562 руб.
от 100 шт. —
492.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 880 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | D2PAK, SOT404 |
Drain current | 100A |
Drain-source voltage | 80V |
Gate charge | 125nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | NEXPERIA |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 9.12mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 306W |
Pulsed drain current | 680A |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.92 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.