IKW50N65ES5XKSA1, , Биполярный транзистор IGBT , 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3

IKW50N65ES5XKSA1, , Биполярный транзистор IGBT , 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
460 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт.440 руб.
от 20 шт.413 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 300 руб.
Номенклатурный номер: 8023203913
Артикул: IKW50N65ES5XKSA1, , Биполярный транзистор IGBT , 6

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

Технические параметры

Корпус TO-247
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Диапазон рабочих температур -40…+175 °С
Мощность рассеиваемая(Pd)-274 Вт
Описание IGBT Trench 650 V 80 A 274 W Through Hole PG-TO247-3
Способ монтажа Through Hole
Тип IGBT
Упаковка TUBE, 30 шт.
Вес, г 8

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов