IRF7313TRPBF, , Сборка из полевых транзисторов Technologies, N-канальный, 30 В, 6.5 А, 2 Вт, 0.029 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
41 руб.
от 200 шт. —
38 руб.
50 шт.
на сумму 2 200 руб.
Плати частями
от 550 руб. × 4 платежа
от 550 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
The Infineon IRF series is the 30V dual n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package. RoHS compliant
Технические параметры
Корпус | SOIC-8 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 650 | |
Заряд затвора, нКл | 33 | |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 30 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 6.5 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 29 | |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт | |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1В | |
Описание | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | 2N | |
Упаковка | REEL, 4000 шт. | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A | |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Package Type | SO-8 | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 57*46*36/4000 | |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 213 КБ
Datasheet IRF7313
pdf, 205 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов