IRF7313TRPBF, , Сборка из полевых транзисторов Technologies, N-канальный, 30 В, 6.5 А, 2 Вт, 0.029 Ом

Фото 1/5 IRF7313TRPBF, , Сборка из полевых транзисторов Technologies, N-канальный, 30 В, 6.5 А, 2 Вт, 0.029 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
44 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт.41 руб.
от 200 шт.38 руб.
50 шт. на сумму 2 200 руб.
Плати частями
от 550 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8023203922
Артикул: IRF7313TRPBF

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
The Infineon IRF series is the 30V dual n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package. RoHS compliant

Технические параметры

Корпус SOIC-8
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Емкость, пФ 650
Заряд затвора, нКл 33
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6.5
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 29
Мощность рассеиваемая(Pd)-2 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-1В
Описание MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости 2N
Упаковка REEL, 4000 шт.
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 6.5 A
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Mounting Type Through Hole
Package Type SO-8
Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*46*36/4000
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 213 КБ
Datasheet IRF7313
pdf, 205 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов