IPD50R800CEAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 110 шт. —
91 руб.
от 219 шт. —
85 руб.
от 437 шт. —
84 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK
Технические параметры
Корпус | DPAK/TO-252AA | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 5 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 800 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | DPAK(TO-252) | |
Pin Count | 3 | |
Series | IPD50R | |
Transistor Material | Si | |
Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1228 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем