IPD50R800CEAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK

IPD50R800CEAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 110 шт.91 руб.
от 219 шт.85 руб.
от 437 шт.84 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8023507224
Артикул: IPD50R800CEAUMA1

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK

Технические параметры

Корпус DPAK/TO-252AA
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 5 A
Maximum Drain Source Resistance 800 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 500 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series IPD50R
Transistor Material Si
Вес, г 0.36

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1228 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем