YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060] = SFG10S2
![Фото 1/2 YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060] = SFG10S2](https://static.chipdip.ru/lib/162/DOC029162460.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9898 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
63 руб.
Кратность заказа 7 шт.
от 203 шт. —
26 руб.
от 805 шт. —
24 руб.
от 1400 шт. —
23.15 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 441 руб.
Номенклатурный номер: 8023536647
Артикул: YJG40G10A
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Корпус | PDFN5060 | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 841 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
