DMT3020UFDB-7, Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V, 6-Pin U-DFN2020 Diodes Inc DMT3020UFDB-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 171 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The DiodesZetex makes a dual N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.03 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.7V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | U-DFN2020 |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 571 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
