HMC326MS8GETR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Описание
РЧ-усилитель InGaP HBT Driver amp SMT, 3.0 - 4.5 GHz
Технические параметры
| NF - коэффициент шумов | 5 dB |
| OIP3 - перехват составляющих третьего порядка | 36 dBm |
| P1dB - точка сжатия | 23.5 dBm |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Входные потери на отражение | 10 dB |
| Категория продукта | РЧ-усилитель |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | Wireless RF Integrated Circuits |
| Рабочая частота | 3 GHz to 4.5 GHz |
| Рабочее напряжение питания | 5 V |
| Рабочий ток источника питания | 65 mA |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | HMC326 |
| Технология | GaAs InGaP |
| Тип | Driver Amplifier |
| Тип продукта | RF Amplifier |
| Торговая марка | Analog Devices / Hittite |
| Упаковка / блок | QFN-32 |
| Усиление | 21 dB |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 648 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «ВЧ усилители»
Типы корпусов импортных микросхем
