2SK209-GR(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
408 шт., срок 7-9 недель
21 руб.
Мин. кол-во для заказа 17 шт.
Добавить в корзину 17 шт.
на сумму 357 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel junction type.
Технические параметры
| Case | SC59 |
| Drain current | 6.5mA |
| Gate current | 10mA |
| Gate-source voltage | -50V |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.15W |
| Type of transistor | N-JFET |
| Channel Type | N |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 14mA |
| Maximum Gate Source Voltage | -50 V |
| Package Type | S-MINI |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 277 КБ
Datasheet 2SK209-GR(TE85L,F)
pdf, 282 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
