IRF740ASPBF,, Транзистор полевой, N-канальный, 400В, 10А, 125Вт, корпус TO-263-3

Фото 1/5 IRF740ASPBF,, Транзистор полевой, N-канальный, 400В, 10А, 125Вт, корпус TO-263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
210 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 2 100 руб.
Номенклатурный номер: 8024221069
Артикул: IRF740ASPBF

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, D2PAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Корпус TO-263(D2PAK)
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Емкость, пФ 1030
Заряд затвора, нКл 36
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±30 В
Максимальное напряжение сток-исток, В 400
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550
Мощность рассеиваемая(Pd)-125 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-4 В
Описание MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Ток утечки непрерывный(Id)-10 А
Упаковка TUBE, 50 шт.
Крутизна характеристики S,А/В 4.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 550
Температура, С -55…+150
Brand Vishay Semiconductors
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 22 ns
Forward Transconductance - Min 4.9 S
Height 4.83 mm
Id - Continuous Drain Current 10 A
Length 10.67 mm
Manufacturer Vishay
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-263AB-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 3.1 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 550 mOhms
Rise Time 35 ns
RoHS Details
Series IRF/SIHF740Ax
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 24 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Unit Weight 0.050717 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Width 9.65 mm
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*50/1000
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 10 A
Maximum Drain Source Voltage 400 V
Mounting Type Surface Mount
Package Type D2PAK(TO-263)
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 232 КБ
Документация
pdf, 209 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов